如果正向偏置电压比较大，载流子将穿过结开始扩散，形成阳极到阴极的电流，对于硅大约是0.5V对于锗和砷化镓大约是0.3V和0.9V。当结电势足够低，不能产生电流时，载流子由于从运动载流子浓度的大梯度而穿过结进行扩散，多杂质一边向少杂质一边扩散的载流子比从少杂质一边向多杂质一边扩散的载流子多。当载流子穿过耗尽区，它们迅速增加了耗尽区边沿的少子的数量。这些少子将从结向主体扩散开来。在它们扩散的过程中，它们又将与多子重新结合，从而降低其浓度。这种少子的浓度梯度（离结远浓度低，离结远浓度高）引起结附近产生电流。结边载流子浓度与外加正偏压成指数关系变化。正偏压越大扩散越剧烈。具体请参考《模拟集成电路设计》David A.Johns 、Ken Martin
