我要锑化铟的相关资料？

显示全部楼层 · 2008-3-5 13:57:36

锑化铟http://www.chemyq.com/xz/xz6/56114akjvg.htm锑化铟薄膜的制造方法http://www.officialchem.com/chem17/chem1700262.html矿冶新亮点--金属铟 http://samson686.blog.sohu.com/73144430.html

千问 · 2008-3-5 13:57:36

锑化铟霍尔元件产品简介 ?型号：TY101A 灵敏度范围（mT）：120～370（1V，50mT）采用材料InSb（锑化铟）恒压：1.5V SOT-143 贴片封装按照霍尔输出电压值不同，101A，现可以提供D，E，F 档，主要应用在磁场检测、电流传感器、速度检测、直流无刷电机、位置控制。

千问 · 2008-3-5 13:57:36

中文名称：锑化铟英文名称： Indium antimonide 性质：锑和铟的化合物。具闪锌矿型结构的晶体。金属锑和铟在高温熔合而得。重要的半导体材料之一。经熔炼提纯的单晶，可制成具有特殊性能的红外探测器件等。还较多的用与电子产品中，在国防军事领域也有很多材料使用了锑化铟其他的··我就不知道了···

千问 · 2008-3-5 13:57:36

分子式：CAS号：性质：锑和铟的化合物。具闪锌矿型结构的晶体。金属锑和铟在高温熔合而得。重要的半导体材料之一。经熔炼提纯的单晶，可制成具有特殊性能的红外探测器件等。锑化铟薄膜的制造方法申请号/专利号： 95111867一种锑化铟薄膜的制造方法首先用电阻加热蒸发In源，在预先已加热到一定温度的基底上真空蒸镀一层In层，再用电阻加热蒸发InSb＋Sb源，在其上再真空蒸镀一层InSb层，随后用电阻加热蒸发In源，在基底表面再真空蒸镀一层In层，最后对上述元件在高纯氮气保护下进行结晶化处理，这种InSb薄膜的制造方法有效地保证了制得InSb膜层中In和Sb的配比接近理论值，大大提高了所制得InSb薄膜的电子迁移率，使之在霍尔元件制造中具有实用价值。申请日： 1995年07月13日公开日： 1996年07月03日授权公告日：申请人/专利权人：机械工业部沈阳仪器仪表工艺研究所申请人地址：辽宁省沈阳市大东区北海街242号发明设计人：于成民;刘佩瑶;孙仁涛;冯桂华;王晓雯;关杰;曾永宁;王晶专利代理机构：沈阳杰克知识产权代理有限公司代理人：杨光专利类型：发明专利分类号： C23C14/26 TY系列霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成，以霍尔效应为工作原理，可将磁场强度信号线性地转变成电压信号。产品特点灵敏度高线性度好不等位电压低尺寸小空间分辨率高典型应用磁场检测直流无刷电机电流传感器位置控制速度检测功能方框图按输出霍尔电压VH(mV)分档分档标号输出霍尔电压（mV） Q 45～60 R 55～75 D 195～230 E 225～275 F 270～320 G 315～370 极限参数参数符号量值单位输入电流 Ii 20(T A=40℃) mA 输入电压 Vi 2(T A=40℃) V 工作温度范围 T A -40-110 ℃ 贮存温度范围 T S -40-120 ℃锑化铟
标识中文名：锑化铟
英文名： INDIUM ANTIMONIDE 分子式： IN-SB
结构式：分子量： 236.57
CAS号： 1312-41-0
RTECS号： NL1105000
HS编码：
UN编号：
危险货物编号：
IMDG规则页码：
理化性质外观与性状：
主要用途：
熔点：沸点：相对密度(水=1)： 1.21 (20℃) 相对密度(空气=1):
饱和蒸汽压(kPa)：
溶解性：
临界温度(℃)：
临界压力(MPa)：
燃烧热(kj/mol)：
燃烧爆炸危险性避免接触的条件：
燃烧性：
建规火险分级：
闪点(℃)：
自燃温度(℃)：
爆炸下限(V%)：
爆炸上限(V%)：
危险特性：
燃烧(分解)产物：
稳定性：
聚合危害：
禁忌物：
灭火方法：干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水
包装与储运危险性类别：
危险货物包装标志：
包装类别：
储运注意事项：库房通风低温干燥
毒性危害接触限值：
侵入途径：
毒性：中毒
健康危害：腹腔-小鼠LD50:3700 毫克/公斤
急救皮肤接触：
眼睛接触：
吸入：
食入：
防护措施工程控制：
呼吸系统防护：
眼睛防护：
防护服：
手防护：
其他：
泄漏处置：