MOS场效应晶体管的设计

显示全部楼层 · 2010-6-29 18:46:16

设计要求满足一些电流和电压要求，这个设计要从什么方面考虑，从哪下手啊！

千问 · 2010-6-29 18:46:16

你的MOS管用在什么场合，如果工作在放大区，可以参考一楼的办法。如果工作在饱和或截止区，需要考虑以下几点：1.MOS管关断瞬间及整个关断时间段内，Vds承受的最大峰值电压。2.MOS管饱和导通时，Id流过的峰值电流和有效值电流。3.MOS管在任何时候，结温不能超过（150-5）度。4.MOS管在任何时候，稳态驱动电压Vgs不能超过±20V，瞬态Vgs不能超过±30V5.MOS管在最恶劣工况下的功耗，结合第3条评估结温降额。6.某些应用场合，MOS管的寄生体二极管会造成不利影响，需要评估可靠性风险。7.不同封装的MOS管热阻不同，安装方式和爬电距离也不一样，需要综合评估。

千问 · 2010-6-29 18:46:16

从输出的电流和电压入手，根据这个条件确定驱动级的静态工作点，然后根据电压确定放大倍数Au，进而确定放大级的RD和RS大小，最后确定偏置电阻的大小。