为什么在栅极电压相同的情况下不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容

显示全部楼层 · 2011-2-17 14:06:28

为什么在栅极电压相同的情况下不同氧化层厚度的MOS结构所形成的势阱存储电荷的容量不同，为什么氧化层厚度越薄的电荷的存储容量越大

千问 · 2011-2-17 14:06:28

氧化层相当于结电容的介质，根据平板电容容量的公式Cj=εS/d，d是介质的厚度，可以看出结电容容量跟介质厚度成反比，氧化层越薄电容量越大，相同栅极电压存储的电荷Qg=CV也就越多。

千问 · 2011-2-17 14:06:28

c=q/u C=εS/4πkd q=uεS/4πkd