内存Bank和时序的问题？

显示全部楼层 · 2010-8-8 09:55:40

1. 谁帮我简述一下内存的物理Bank(P-Bank)和逻辑Bank(L-Bank)是什么意思？相关的文章看了不少，但我还没有完全理解？
2. 从DDR开始到现在的DDR3，内存频率、带宽和越来越高，为什么内存延迟也会越来越高？

也就是说，在相同位宽的情况下，内存频率越高，带宽就越高，内存的存取速度就越快，(1)为什么更快速的内存的延迟反而更高？

(2)内存的延迟时间(ns)应该怎么计算？

(3)JEDEC规定的各种不同内存的时序是多少？(如CL-tRCD-tRP)

(4)内存时序中常见的4个参数(即CL-tRCD-tRP-tRAS)各表示什么意思？前三个参数(CL-tRCD-tRP)都是相等的吗？

(4)大多数时序的最后一个参数(tRAS)值约等于前三个参数(CL-tRCD-tRP)值之和，(tRAS)和(CL-tRCD-tRP)有什么关系吗？

(5)BIOS设置界面中的Command Per Clock(CPC，也有些文章称之为“首命令延迟”)是什么意思？超频时应怎样设置(1T or 2T)？

(6)超频时内存时序从x下调为(x-1)或(x-2)等值，对PC性能提升有多大(系统运行稳定的情况下)？
(7)“Latency(潜伏期)”和“Delay(延迟)”两者的概念有何异同？
(8)Unbuffered DIMMs 和 Registered DIMMs 各是什么内存？

千问 · 2010-8-8 09:55:40

频率越高速度越快。