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什么是场效应管的耗尽层

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查看11 | 回复2 | 2016-1-20 11:21:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
场效应管的耗尽层：场效应管中，随着Ugs的增加，在靠近二氧化硅绝缘体的P型衬底表面 缺少多子，形成了耗尽层。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控
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千问 | 2016-1-20 11:21:21 | 显示全部楼层
场效应管中，随着Ugs的增加，在靠近二氧化硅绝缘体的P型衬底表面 缺少多子，形成了耗尽层
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