内存时序怎么调节?

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查看11 | 回复2 | 2017-10-15 15:29:34 | 显示全部楼层 |阅读模式
内存时序 一种参数,一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为:CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间,是内存的重要参数之一,某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row-precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间。Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。该参数对内存性能的影响最大,在保证系统稳定性的前提下,CAS值越低,则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能,而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意,WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。 ...
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千问 | 2017-10-15 15:29:34 | 显示全部楼层
应该是前4项为11-11-11-30你现在使用的时序已经优于默认时序。可以到bios中进行向下微调。如果蓝屏死机,则向上调整直到稳定。...
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