制作工艺32纳米和45纳米相比有哪些好处?

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查看11 | 回复1 | 2013-9-8 19:41:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
32纳米制成技术是基于45纳米技术的改良版本,总体归纳起来组要有以下三点。1:32纳米制程技术的基础是第二代高k+金属栅极晶体管。英特尔对第一代高k+金属栅极晶体管进行了众多改进。在45纳米制程中,高k电介质的等效氧化层厚度为1.0纳米。而在32纳米制程中,由于在关键层上首次使用沉浸式光刻技术,所以此氧化层的厚度仅为0.9纳米,而栅极长度则缩短为30纳米。晶体管的栅极间距每两年缩小0.7倍——32纳米制程采用了业内最紧凑的栅极间距( 第一代32nm技术将使112.5nm栅极间距 )。32纳米制程采用了与英特尔45纳米制程一样的置换金属栅极工艺流程,这样有利于英特尔充分利用现有的成功工艺。这些改进对于缩小集成电路(IC)尺寸、提高晶体管的性能至关...
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