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2.5.2 附着的电晶体-过失模型在一些情形, 像是那附着-公开过失, 附着的合乎逻辑人-过失模型是错误的。 使过失模型变成更正确的一个方法将在如门水平所反对的电晶体水平构造模型。 如此的模型时常被提到例如开关级的模型因为电晶体正在本质上表演一个转变功能。 在这里，然而，我们使用被欺骗的用辞电晶体-过失模型描述技术雇用。在被欺骗的电晶体中-过失模型, 过失被表现当做或一个电晶体附着在或者之上一个电晶体走开附着。举例来说, 在互补型金属氧化半导体中也不图 2.9 的门, 过失被假定长备地造成电晶体存在或之上长备地走开。附着的电晶体的利益-过失模型是那附着-先前描述的公开过失能被走开表现如长备地被附着的一个电晶体。 举例来说, 在图 2,9, 如果被输入驱使的 n-通道的电晶体一长备远, 对输入组合 AB 的线路的回应 =10 意志是，输出被强迫既非对 VDD 也不到相对。 结果，由于出席的负荷容量，输出在输出上保有它的早先价值。附着的电晶体的清楚缺点-过失模型是另外的复杂。 举例来说, 一个线路包含 100 也不门包含 400个电晶体，因此，一定被表现而且操纵的元素的数字已经使成四倍。 其他的门如此的如独有的-或需要更多电晶体。 在包含许多门的线路, 使用被欺骗的电晶体的对于复杂的影响-过失模型可能是压倒性的。 |
