IGBT和电力MOSFET的内部结构和开关特性的相似与不同之处

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查看11 | 回复1 | 2011-3-21 13:06:34 | 显示全部楼层 |阅读模式
IGBT与MOSFET结构上的差别只是IGBT在VDMOS的背面增加了一个P型层。但就是增加了这么一个P型层,导致IGBT和MOSFET具有不同的工作机理和特性。由于IGBT背面有一个P型层,IGBT在开通状态时,其N-漂移区能会发生强烈的电导调制效应,就是因为这个电导调制效应,导致IGBT的导通电阻约是MOSFET的1/3,其导通损耗较MOSFET小。但又就是因为电导调制效应,导致IGBT在关断时会存在拖尾电流,使IGBT的关断时间变长,关断损耗变大。
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