化学翻译(高分)---谢谢了!!

显示全部楼层 · 2007-4-1 14:07:02

为 POLYSILICON 的实验室设备依照美国材料试验学会, 我们在实验室中的 polysilicon 上为测试需要下列的设备: 1.为矽 polycrystal 的分析方法在这一种产品的杂质在非常低的水平, 比传统分析的技术的发现极限低; 过去，其它可能的测量方法在装置上已经被发展为了要模拟/了解最后的污染。大体上化学的杂质被在热衷的飞行员测试反应者上被获得过小 Trichloro silane(三氯硅烷) 的沈淀样品的一支矽竿或直接地从从一支被生产的 polysilicon 竿被带的一个核心样品测量的期限; 两者都被漂流物-地域技术精炼 (依照比较的美国材料试验学会 F1723-02 抽取样品操作被运行 - " 漂流物-地域水晶生长和光谱学的 Polycrystalline 矽竿的评估的标准练习 "). 导电率类型 (定义多数运送者的性质) 和抵抗力在竿的种子，中央和强烈的味道结束被发现; 类型符合美国材料试验学会 F42-02(" 非固有半导体的材料导电率类型的测试方法 ") 被决定，而且抵抗力符合美国材料试验学会 F397-02(" 使用一个二点的调查矽酒吧的抵抗力的测试方法 ") 被决定。一个这个单一水晶的锭区段被切割和在液体的氦温度被冷却测量的薄的切片 (两倍的旁擦亮的) 在～手边傅立叶转换红外线的光谱学团体 3/V 杂质污染.(根据絮聒不休地说 50438-3 美国材料试验学会的 f 1630-00) 一个第二个薄的切片是削减而且加倍旁的对于使用室温傅立叶的代理的原子碳决心是擦亮的转换红外线的光谱学 (依照美国材料试验学会 F 1391-93/2000- " 为红外线吸收的矽的代理碳内容测试方法 "). 表面痕迹金属污染的数量决心被运行使用酸的解决吸取来自 polycrystalline 矽的表面的金属。金属在冲洗解决内的内容然后被石墨火炉分析原子-吸收光谱学 (依照美国材料试验学会 F1724-01- 为测量酸抽出-原子的吸收光谱学的 Polycrystalline 矽的表面金属制污染测试方法)有关大多数金属，那些从 polysilicon 大块直接地被中子使活动分析决定。测量在 FZ 样品上被引导 (提及美国材料试验学会 1723-02)

千问 · 2007-4-1 14:07:02

依照美国材料试验学会，我们在实验室的 polysilicon 上为测试需要下列的设备: 1.分析的方法为矽 polycrystal在这一种产品的杂质在非常低的水平, 比传统分析的技术的发现极限低; 过去，其它可能的测量方法在装置上已经被发展为了要模拟/了解最后的污染。大体上称化学的杂质在热衷的飞行员测试反应者上被获得过小 Trichloro silane(三氯硅烷) 样品的沈淀的矽竿中被测量或者直接地从一个核心抽取样品从一支被生产的 polysilicon 竿拿; 两者都被漂流物-地域技术精炼 (抽取样品操作依照比较的美国材料试验学会 F1723-02 被运行 - " Polycrystalline 矽漂流物-地域水晶生长和光谱学的竿评估的标准练习 "). 导电率类型 (定义多数运送者的性质) 和抵抗力在竿的种子、中央和强烈的味道结束被发现; 类型符合美国材料试验学会 F42-02(" 非固有半导体的材料导电率类型的测试方法 ") 被决定，而且抵抗力符合美国材料试验学会 F397-02(" 矽的抵抗力的测试方法酒吧使用一个二点的探针 ") 被决定。一个这个单一水晶的锭区段是削减，而且薄的切片 (两倍的旁擦亮的) 在液体的氦温度冷却了根据傅立叶变换红外线的光谱学测量小组 3/V 杂质污染。 (根据絮聒不休地说 50438-3 美国材料试验学会 f 的 1630-00) 一个第二个薄的切片是削减而且加倍旁的擦亮为使用室温傅立叶的代理的原子碳决心转换红外线的光谱学 (依照美国材料试验学会 F 1391-93/2000- " 为红外线吸收的矽的代理碳内容测试方法 "). 表面痕迹的数量决心金属制的污染被运行使用酸的解决吸取来自 polycrystalline 矽的表面的金属。金属在冲洗解决内的内容然后被石墨火炉原子-吸收光谱学分析 (依照美国材料试验学会 F1724-01-为酸抽出-原子的吸收光谱学的 Polycrystalline 矽的测定表面金属制污染测试方法)有关大多数金属，那些从 polysilicon 大块直接地被中子使活动分析决定。测量在 FZ 样品上被引导 (提及美国材料试验学会 1723-02)

千问 · 2007-4-1 14:07:02

顾设备多晶硅据美国ASTM,我们需要下列设备测试实验室多晶硅: 1003-5214办法硅晶这款产品的杂质处于非常低的水平,Lowe先生住宅比传统的分析技术的检出限; 在T 他过去已经开发替代测量方法以模拟/了解污染对最终设备. 一般而言化学杂质在硅棒测量所得沉积小三氯硅烷(三氯硅烷)对专用试验反应堆样品或直接从核心样本从生产多晶硅棒; 无论是成品的浮区法(抽样进行操作相对据美国ASTMf1723-02"标准做法评价多晶硅棒的浮区晶体生长和光谱"). 导电型(性质的界定多数母)被发现在种子、电阻、邓中结束棒; 那种决心按照美国ASTMf42-02("试验方法导型半导体外延材料"), 并决心按照美国ASTM电阻f397-02("试验方法采用电阻硅酒吧两点探头"). 一这一段单晶锭切断和切片(双面磨)在液氦冷却温度测量由红外光谱77三/五杂质污染(据杂音50438-3-美国ASTMf1630-00). 二片双方进行抛光、切断碳原子取代室温决心用红外光谱(据 1391年至1393年,以美国ASTM六/2000-"代换试验方法含碳硅红外吸收"). 定量表面微量金属污染的决心用酸性溶液进行提取金属表面多晶硅. 重金属含量的清洗液,然后按石墨炉原子吸收光谱(根据美国ASTM f1724-01试验方法测量金属表面酸污染多晶硅萃取-原子吸收光谱)左右大宗金属, 中子活化分析是由那些直接从多晶硅块. FZ型样品进行了测量(指美国ASTM1723至2002年)